ИС с магнитни сензори

ИС с магнитни сензори
представяне на продукта:
ИС с магнитни сензори са устройства, които преобразуват информацията за откритото магнитно поле в измерими изходни електрически сигнали и представляват важен клон на сензорната технология. Тези устройства могат да откриват параметри, включително присъствието, интензитета, посоката и вариацията на магнитните полета, и да обработват получената информация, за да реализират функции като откриване на позиция, измерване на скоростта на въртене, отчитане на ток, навигация и позициониране. Те са незаменими основни електронни компоненти в съвременната промишленост, потребителската електроника, автомобилната електроника, космическата техника и други области.
Изпрати запитване
Описание
Технически параметри
 
Въведение в интегралните схеми на магнитни сензори
 

ИС с магнитни сензори са устройства, които преобразуват информацията за откритото магнитно поле в измерими изходни електрически сигнали и представляват важен клон на сензорната технология. Тези устройства могат да откриват параметри, включително присъствието, интензитета, посоката и вариацията на магнитните полета, и да обработват получената информация, за да реализират функции като откриване на позиция, измерване на скоростта на въртене, отчитане на ток, навигация и позициониране. Те са незаменими основни електронни компоненти в съвременната промишленост, потребителската електроника, автомобилната електроника, космическата техника и други области.

 

Ефект на Хол

Когато електрически ток преминава през проводник или полупроводник, поставен перпендикулярно на външно магнитно поле, носителите на заряд ще се отклонят под действието на силата на Лоренц, генерирайки допълнителна потенциална разлика в посоката, перпендикулярна както на тока, така и на магнитното поле, което се определя като напрежение на Хол. Големината на напрежението на Хол е в положителна корелация с интензитета на външното магнитно поле, поради което параметрите на магнитното поле могат да бъдат получени чрез измерване на напрежението на Хол. Това е основният принцип на работа на магнитните сензори с-ефект на Хол.

 

Магниторезистивен ефект

Електрическото съпротивление на определени материали ще се промени под действието на приложено външно магнитно поле и това явление се нарича магниторезистивен ефект. Често срещаните видове на този ефект включват анизотропно магнитосъпротивление (AMR), гигантско магнитосъпротивление (GMR) и тунелно магнитосъпротивление (TMR). Различните магниторезистивни материали представят различни скорости на промяна на съпротивлението, сред които TMR има най-висока скорост на промяна на съпротивлението и отлична чувствителност. Информация за магнитното поле може да бъде получена чрез измерване на тези промени в съпротивлението.

 

Флуксгейт ефект

Този ефект се основава на меко магнитно ядро ​​с висока пропускливост. Под действието на променливо възбуждащо магнитно поле, мекото магнитно ядро ​​периодично се редува между насищане и десатурация, което индуцира електродвижеща сила (EMF), съдържаща информация за външното магнитно поле в бобината за откриване. Чрез обработка на индуцираната електродвижеща сила могат да бъдат извлечени данните за интензитета и посоката на външното магнитно поле. Ефектът на Джоузефсън съставлява основния принцип на работа на магнитните сензори на свръхпроводящото устройство за квантова интерференция (SQUID): когато два свръхпроводника са разделени от изключително тънък изолационен слой, електронните двойки могат да тунелират през бариерата, за да образуват свръхпроводящ ток, а външното магнитно поле ще модулира този ток, позволявайки измерване на изключително слаби магнитни полета.

 

 
Конкретен модел интегрални схеми с магнитни сензори
 

TMAG5134 е цифров превключвател с висока-чувствителност, ниска{2}}мощност в-равнинна-ефект на Хол, разработен да замени TMR, AMR и рид ключове. Устройството е интегрирано с магнитен концентратор, осигуряващ по-висока чувствителност и по-ниска консумация на енергия в сравнение с традиционните устройства с ефект на Хол-. Тази продуктова серия предоставя две опции за опаковане: пакет SOT-23 с един многополюсен изход и пакет X1LGA с два независими еднополярни изхода. Поддържайки гъвкави конфигурационни комбинации от високи-прагове на чувствителност и множество честоти на дискретизация, устройството може да се адаптира към разнообразни изисквания за дизайн на системата и да отговори на специфичните изисквания на различни приложения при избор на магнит, чувствителност и консумация на енергия. За постигане на значително намаляване на консумацията на енергия, TMAG5134 е оборудван с вграден-контрол на работния цикъл. При възприемане на изходна конфигурация за изтегляне-издърпване (CMOS) не са необходими външни издърпващи{18}}резистори; междувременно е осигурена и опция за отворен{19}}отвод и продуктът се предлага в индустриални стандартни пакети SOT-23 и X1LGA.

 

 
Параметри на ИС на магнитни сензори
 

Параметрите на интегралните схеми на магнитния сензор са както следва:

Тип

Омниполярен превключвател, Униполярен превключвател

Захранващ ток (µA)

0.405, 0.405, 0.44, 0.44, 0.79, 0.79, 0.944, 0.944

Честотна лента (kHz)

0.00125, 0.005, 0.01, 0.02

Рейтинг

Каталог

Диапазон на работна температура (градус)

-40 до 125

Изход

Push-Pull изходен драйвер

 

Популярни тагове: магнитен сензор ics, Китай магнитен сензор ics производители, доставчици, Интегрални схеми за сензори за влажност, Магнитни сензорни интегрални схеми, Интегрални схеми на радарни сензори MmWave, Оптични сензорни интегрални схеми, Специализирани сензорни интегрални схеми, Температурни сензори и управляващи интегрални схеми

Изпрати запитване